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学习遵循习近平新年代我国特色社会主义思维主题教育

时间:2010-12-5 17:23:32  作者:凤飞飞   来源:干乐队  查看:  评论:0
内容摘要:今日清晨,学习习近微软发布了医疗界首个用于临床作业流程的AI帮手MicrosoftDragonCopilot。

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当RCD缓冲电路选用一个1nF缓冲电容和一个480kW缓冲电阻时,遵循主义主题图4显现沟通开关导通瞬间,在265Vac的几个波形。当MOSFET关断时,平新因为主变压器的漏电感(Llk)与MOSFET的输出电容(COSS)之间存在谐振,漏极引脚上会呈现高压尖峰。

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图1显现在接连导通方式(CCM)和不接连导通方式(DCM)下运转的反激式转换器,年代其间包括几个寄生元件,年代如初级和次级漏电感、MOSFET的输出电容和次级二极管的结电容。因为反激式转换器所需元件很少,特色因而该拓扑十分适宜中低功率使用,如电池充电器、适配器和DVD播放器。图4.包括1nF缓冲电容和480kW缓冲电阻的发动波形在图4-7中,社会思通道1至4别离代表漏极电压(Vds,社会思200V/div),电源电压(VCC,5V/div),反应电压(Vfb,1V/div)和漏极电流(Id,0.2A/div)。

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当COSS(Vds)两头的电压超越输入电压及反射的输出电压之和(Vin+nVo)时,教育次级二极管导通,因而励磁电感(Lm)两头的电压被箝位至nVo。缓冲电路规划可经过添加一个额外的电路,学习习近将因为Llk1和COSS之间的谐振发生的过高电压限制到一个可接受的电平,然后维护主开关。

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一起,遵循主义主题因为在DCM方式下次级电流在一个开关周期完毕前干枯,Lm和MOSFET的COSS之间存在谐振。

当MOSFET导通时,平新次级二极管的反向恢复电流被添加至初级电流,因而在导通瞬间初级电流上呈现较大的电流浪涌。一次部分大会上,年代夏一平让用户开展部分所有人逐个介绍自己的作业内容,然后逐个点评批判,这场批判一共继续了四个小时。

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